Номер детали производителя : | S4D R7G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | 314 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4D R7G(1).pdfS4D R7G(2).pdfS4D R7G(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4D R7G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 314 pcs |
Спецификация | S4D R7G(1).pdfS4D R7G(2).pdfS4D R7G(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S4D |
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 4A TO220AC
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220AC